[发明专利]一种平面结构的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510608779.X | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105161617B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种平面结构的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器具有形成于阻变功能层的两端的石墨烯电极，利用石墨烯材料的高迁移率特性，实现阻变存储器的低功耗运行。平面结构的阻变存储器有利于导电细丝形状的观察，有助于对阻变存储器的机理研究。本发明采用电焦耳热熔断的方法在石墨烯纳米带靠近中间的位置获得了几十纳米的空隙，从而形成石墨烯电极。基于原子层沉积工艺中阻变功能层在石墨烯上的侧向生长的特性，形成阻变功能层。该方法简单、有效、节约原材料成本，可实现对阻变存储器器件尺寸的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面结构的阻变存储器，包括，衬底、形成于所述衬底上的阻变功能层、以及形成于所述阻变功能层两端的电极，其特征在于，所述电极为石墨烯电极；包括：接触电极，分别形成于所述石墨烯电极外侧。
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