[发明专利]一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法有效
| 申请号： | 201510608986.5 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105304568B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 何志斌;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法。一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，方法包括：提供一衬底，于衬底上形成PMOS区域与NMOS区域，其中PMOS区域与NMOS区域均包括高K介电层；于PMOS区域与NMOS区域的高K介电层的上方沉积氮化钛(TiN)；于PMOS区域与NMOS区域沉积一硅膜作为阻挡层，再于阻挡层上淀积P型功函数层；依次去除NMOS区域的P型功函数层、硅膜；对PMOS区域进行退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 金属 器件 阈值 电压 波动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，于所述衬底上形成PMOS区域与NMOS区域，其中所述PMOS区域与所述NMOS区域均包括高K介电层；于所述PMOS区域与所述NMOS区域的高K介电层的上方沉积氮化钛(TiN)；于所述PMOS区域与所述NMOS区域沉积一硅膜作为阻挡层，再于所述阻挡层上淀积P型功函数层；依次去除所述NMOS区域的P型功函数层、所述硅膜；对所述PMOS区域进行退火工艺；其中，所述P型功函数层为TiN。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510608986.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
