[发明专利]使用三维沟道的半导体器件有效
| 申请号： | 201510611794.X | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105633161B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金琯英;俞在炫;卢镇铉;孟佑烈;全镕宇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 三维 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一鳍；与所述第一鳍分离的第二鳍；以及位于所述第一鳍和所述第二鳍上的栅极，所述栅极与所述第一鳍和所述第二鳍交叉，所述第一鳍包括位于所述栅极两侧的第一掺杂区，所述第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压，并且所述第二鳍包括位于所述栅极两侧的第二掺杂区，所述第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压，所述第二电压不同于所述第一电压。
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