[发明专利]基于磁性纳米线阵列的低插入损耗自偏置微带环形器有效
| 申请号： | 201510612717.6 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105304992B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 韩满贵;涂宽;周辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/383 | 分类号： | H01P1/383 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于磁性纳米线阵列的低插入损耗自偏置微带环形器，属于微波无源器件领域，本发明包括微带Y结匹配线、中心有圆柱体通孔的六棱柱介质层、金属底电极和圆柱体中心结，其特征在于，所述圆柱形中心结包括顶层绝缘层和底层绝缘层，以及顶层绝缘层和底层绝缘层之间的至少两层纳米线阵列层，相邻的纳米阵列层之间为空气层。本发明环形器中心结采用三层以多孔氧化铝模板沉积的磁性纳米线阵列层，各层间以空气层隔开，实现了降低中心结整体介电常数的目的，其在微波频段X波段具有低的插入损耗和高的隔离度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁性 纳米 阵列 插入损耗 偏置 微带 环形 | ||
【主权项】：
1.基于磁性纳米线阵列的低插入损耗自偏置微带环形器，包括微带Y结匹配线、中心有圆柱体通孔的六棱柱介质层、金属底电极和圆柱体中心结，其特征在于，所述圆柱体中心结包括顶层绝缘层和底层绝缘层，以及顶层绝缘层和底层绝缘层之间的至少两层纳米线阵列层，相邻的纳米线阵列层之间为空气层；所述纳米线阵列层包括软磁纳米线阵列和多孔氧化铝模板，软磁纳米线阵列设置于多孔氧化铝模板的纳米孔洞中；多孔氧化铝模板厚度为50‑200um，孔隙比为50‑80％，纳米孔洞直径为50‑120nm，所用软磁纳米线长度为40‑160um，材料为Fe,Co,Ni及其合金；多孔氧化铝模板厚度为70um；纳米孔洞直径80nm，孔隙比为60％，所用纳米线材料为α‑Fe，长度为60um。
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