[发明专利]处理至少一个载体的方法以及处理设备有效
申请号: | 201510613602.9 | 申请日: | 2015-09-23 |
公开(公告)号: | CN105448664B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | J·特雷特纳;F·帕齐希 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明的各个实施例涉及处理至少一个载体的方法以及处理设备。根据各个实施例,方法可以包括:用第一液体来填充腔室和耦接至腔室的管道,该管道从腔室向上延伸;将第二液体的部分引入到在管道中的第一液体中;以及从腔室至少部分地去除第一液体以将管道的内容物排空到腔室中,从而在腔室中的第一液体上设置通过引入的第二液体而获得的连续表面层。 | ||
搜索关键词: | 处理 至少 一个 载体 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理至少一个载体的方法,包括:用第一液体来填充腔室和耦接至所述腔室的管道,从而所述第一液体的顶表面到达所述管道,其中所述管道从所述腔室垂直向上延伸,并且其中所述管道具有小于所述腔室的水平延伸的水平延伸;将第二液体的部分引入到在所述管道中的所述第一液体中,从而所述第二液体浮在所述第一液体顶上并且与所述第一液体实质分开;以及从所述腔室至少部分地去除所述第一液体,以便将所述管道的内容物排空到所述腔室中,从而在所述腔室中的所述第一液体上通过引入的所述第二液体提供连续表面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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