[发明专利]一种膜层图案化的方法有效
| 申请号： | 201510614255.1 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105225929B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李丽;彭志龙;代伍坤;董宜萍 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种膜层图案化的方法，该方法包括首先在衬底基板表面形成待图案化膜层；然后在衬底基板搬运至刻蚀设备以对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层；最后去除保护层并形成图案化掩膜，以图案化掩膜对待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。这样，这样带有保护层的待图案化膜层在搬运至刻蚀设备的过程中，直至进行刻蚀工艺前，都能够抵御异物与待图案化膜层粘连，可以有效地阻挡刻蚀过程中异物对待形成的图案化膜层的影响，达到提高产品良率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种膜层图案化的方法，其特征在于，包括：在衬底基板表面形成待图案化膜层；在所述衬底基板搬运至刻蚀设备以对所述待图案化膜层进行图案化之前，于所述待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层；去除所述保护层并形成图案化掩膜，以所述图案化掩膜对所述待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
