[发明专利]基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器有效
| 申请号： | 201510615325.5 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105337145B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王卓念;许坤远;陈溢杭 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，包括绝缘衬底层、设置在绝缘衬底层表面的半导体导电层、设置在半导体导电层表面的绝缘保护层、穿透半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极和输出电极。所述绝缘刻槽包括第一绝缘刻槽、第二绝缘刻槽和第三绝缘刻槽；所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽相对设置，且二者之间的空隙形成一低导电沟道；所述第三绝缘刻槽一端为尖棱结构，且该尖棱正对所述低导电沟道远离输入电极一端开口；所述第三绝缘刻槽另一端延伸至所述半导体导电层一端边缘；所述第一绝缘刻槽一端和第二绝缘刻槽一端延伸至半导体导电层两侧表面。该辐射器结构简单、易于集成，可在常温下工作于太赫兹频段。 1 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 刻槽 半导体导电层 边棱音效应 太赫兹辐射 导电沟道 输入电极 衬底层 尖棱 辐射器结构 绝缘保护层 空隙形成 输出电极 相对设置 一端开口 常温下 频段 延伸 正对 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种基于边棱音效应的固态太赫兹辐射器，包括绝缘衬底层、设置在绝缘衬底层表面的半导体导电层、设置在半导体导电层表面的绝缘保护层、穿透半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极和输出电极；其特征在于：所述输入电极设置在半导体导电层一端外表面，所述输出电极设置在半导体导电层两侧外表面；所述半导体导电层为二维半导体导电层；所述绝缘刻槽包括第一绝缘刻槽、第二绝缘刻槽和第三绝缘刻槽；所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽相对设置，且二者之间的空隙形成一低导电沟道；所述第三绝缘刻槽一端为尖棱结构，且该尖棱正对所述低导电沟道远离输入电极一端开口；所述第三绝缘刻槽另一端延伸至所述半导体导电层一端边缘；所述第一绝缘刻槽一端和第二绝缘刻槽一端延伸至半导体导电层两侧表面。
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