[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板有效
| 申请号： | 201510615350.3 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105140298B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 许勇 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括沿第一方向依次层叠设置的基板、金属遮光层、阻隔层、栅极绝缘层、栅极和内介电层，且所述薄膜晶体管沿第二方向并排形成外围区和像素区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述金属遮光层和所述栅极均呈长条状且在所述第二方向上自所述外围区延伸至所述像素区，所述金属遮光层在所述第一方向上与所述栅极至少部分重叠，在所述外围区内，所述栅极贯穿所述栅极绝缘层和所述阻隔层连接所述金属遮光层。本发明所述薄膜晶体管具有较高电子迁移率。本发明还公开一种阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沿第一方向依次层叠设置的基板、金属遮光层、阻隔层、栅极绝缘层、栅极和内介电层，且所述薄膜晶体管沿第二方向并排形成外围区和像素区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述金属遮光层和所述栅极均呈长条状且在所述第二方向上自所述外围区延伸至所述像素区，所述金属遮光层在所述第一方向上与所述栅极至少部分重叠，在所述外围区内，所述栅极贯穿所述栅极绝缘层和所述阻隔层连接所述金属遮光层；所述薄膜晶体管还包括位于所述像素区的有源区，所述有源区位于所述阻隔层与所述栅极绝缘层之间且在所述第一方向与所述栅极居中对齐；所述像素区包括至少两个所述栅极和至少两排像素单元，所述至少两个栅极和所述至少两排像素单元在第三方向上交替设置，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
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