[发明专利]一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板有效
申请号: | 201510615724.1 | 申请日: | 2015-09-23 |
公开(公告)号: | CN105093816B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 王轩;何明录;邓思 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/56 | 分类号: | G03F1/56;G03F1/80;G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板,方法包括在显示面板上形成信号线的材料层;在材料层上形成光致抗蚀剂层;使用掩膜板对光致抗蚀剂层进行光罩处理,以使光致抗蚀剂层形成阶梯状图案,且阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域和第二类型曝光区域,其中,第一类型曝光区域的高度不同于第二类型曝光区域的高度;将阶梯状图案化的光致抗蚀剂层第一类型曝光区域去除,而保留第二类型曝光区域;利用剩余的光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域作为掩膜对材料层进行蚀刻,以在显示面板上得到图案化的材料层。通过上述方式,本发明能够得到较窄线宽的信号线。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 信号线 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板的信号线的制程方法,其特征在于,包括:在所述显示面板上形成信号线的材料层;在所述材料层上形成光致抗蚀剂层;使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理,以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案,且所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域、第二类型曝光区域和第三类型曝光区域,其中,所述第一类型曝光区域和第三类型曝光区域的高度低于所述第二类型曝光区域的高度,所述第二类型曝光区域的宽度小于所述阶梯状图案的宽度,在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中,去除所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域,并部分地去除所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域,以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案;将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层的所述第一类型曝光区域去除,而保留所述第二类型曝光区域,其中,将氩气和氧气形成的等离子体喷射至所述阶梯状的光致抗蚀剂层中的第一类型曝光区域,以使所述等离子体与所述第一类型曝光区域中的所述光致抗蚀剂层进行灰化反应,以去除所述光致抗蚀剂层中的所述第一类型曝光区域;利用剩余的所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域作为掩膜对所述材料层进行蚀刻,以在所述显示面板上得到图案化的材料层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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