[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510617025.0 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106558609B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 许高博;殷华湘;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11345 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管，包括：沟道区，位于半导体衬底上；栅堆叠，位于沟道区上，依次包括栅介质层、第一栅电极层、表面电势放大层和第二栅电极层；源/漏区，具有第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的漏区位于沟道区两侧且嵌入半导体衬底中；袋区，具有第二掺杂类型且位于源区与沟道区之间，其中，部分袋区延伸至源区与栅堆叠之间，与源区形成垂直隧穿结构。依照本发明的隧穿场效应晶体管及其制备方法，通过在源区与栅堆叠之间形成袋区构成垂直隧穿结构而提高载流子的隧穿几率，同时通过采用具有铁电属性的第二栅介质层，利用铁电栅介质层的表面电势放大作用实现导通电流的进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管，包括：/n半导体衬底；/n沟道区，位于所述半导体衬底上；/n栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层、第一栅电极层、第二栅介质层和第二栅电极层，其中，所述栅介质层位于所述沟道区上，所述第一栅电极层位于所述栅介质层上，所述第二栅介质层位于所述第一栅电极层上，所述第二栅电极层位于所述第二栅介质层上，其中第二栅介质层是锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、铌(Nb)、铬(Cr)、钒(V)、钇(Y)、锝(Tc)、铼(Re)、镧(La)、铈(Ce)、或铋(Bi)元素之一或其组合掺杂的氧化铪(HfO2)、氧化锰、或氧化钽的铁电栅介质层以具有表面电势放大作用；/n源/漏区，具有第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的漏区位于所述沟道区两侧且嵌入半导体衬底中；/n袋区，具有第二掺杂类型的袋区位于所述源区与沟道区之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510617025.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
- 同类专利
- 专利分类
