[发明专利]半导体部件在审
| 申请号： | 201510617160.5 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105185822A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | H-J.舒尔策;F.普菲尔施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;姜甜 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体部件，该半导体部件包括半导体主体、位于半导体主体中的沟道区、与沟道区相邻的沟道控制电极、以及位于沟道区和沟道控制电极之间的介电层，其中介电层具有负温度系数的相对介电常数εr。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 部件 | ||
【主权项】：
一种半导体部件，包括：半导体主体(1)；沟道区(2)，位于半导体主体(1)中；沟道控制电极(3)，与沟道区(2)相邻；介电层(4)，位于沟道区(2)和沟道控制电极(3)之间；其中，介电层(4)包括具有负温度系数的相对介电常数εr。
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