[发明专利]一种存储芯片的数据保护电路及其方法

摘要

本发明公开了一种存储芯片的数据保护电路及其方法，数据保护电路包括MCU、转换单元和外部EEPROM存储芯片；通过MCU判断接收到控制指令是否为写数据指令，是则输出波形写信号，否则输出电平信号；转换单元根据所述波形写信号输出电平写信号启动外部EEPROM存储芯片的写操作；转换单元还根据所述电平信号输出电平读信号启动读操作，禁止外部EEPROM存储芯片的写操作；通过改变写数据指令的信号形式，从而避免了现有MCU程序跑飞或外部干扰时输出错误的写信号修改数据，大大降低外界干扰对芯片的影响。

主权项

一种存储芯片的数据保护电路，其特征在于，包括MCU、转换单元和外部EEPROM存储芯片；所述MCU判断接收到控制指令是否为写数据指令，是则输出波形写信号，否则输出电平信号；转换单元根据所述波形写信号输出电平写信号启动外部EEPROM存储芯片的写操作；转换单元还根据所述电平信号输出电平读信号启动读操作，禁止外部EEPROM存储芯片的写操作；MCU程序跑飞或外部干扰时输出低电平误写信号，转换单元将低电平误写信号均转换成高电平的读信号；避免MCU程序跑飞或外部干扰时输出错误的写信号修改数据；所述转换单元包括施密特触发器、第一电阻、延时电阻和延时电容；所述施密特触发器的脚连接MCU的I/O脚，施密特触发器的脚连接外部EEPROM存储芯片的WP脚和第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接电源端，施密特触发器的1Rext脚连接延时电阻的一端和延时电容的一端，延时电阻的另一端连接电源端，延时电容的另一端连接施密特触发器的，施密特触发器的VCC脚连接电源端；在脉冲的下降沿，施密特触发器U1的脚变为低电平；低电平的延时时间由延时电阻的阻值和延时电容的容值决定; 脚为低电平的时间T=Tw+Trr，Tw为低电平的延时时间，Trr为一个脉冲周期。