[发明专利]N型电池硼扩散工艺在审
| 申请号： | 201510620799.9 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105304753A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 汪已琳;刘良玉;杨晓生;曹骞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 周长清;黄丽 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和干氧的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。本发明的N型电池硼扩散工艺，能得到结深浅、方块电阻值为75Ω/□～85Ω/□和方阻均匀性较好的硼扩散pn结。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，并抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和氧气的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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