[发明专利]一种高电容密度的埋入式电容的制备方法

摘要

本发明涉及一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，包括使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂改性碳酸钡粉体，表面修饰改性的碳酸钡粉体，碳酸钡粉体与聚合物混合、搅拌以形成混合浆料，混合浆料涂覆在铜箔单面并预固化处理，将两个覆有介电薄膜的铜箔单面相对贴合以获得双面覆铜介电板，热压贴合双面覆铜介电板等步骤；掺杂改性的方法包括Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法；聚合物还可以是环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合；铜箔为压延铜箔或电解铜箔。通过本发明所获得的埋入式电容，不仅具有热稳定性好，机械韧性强，易于加工的特点，更关键在于其表现出更高的电容密度。

主权项

一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，包括以下步骤实现：S1、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代BaTiO₃粉体的晶体结构中部分Ti原子的位点，以实现对所述BaTiO₃粉体的掺杂改性；S2、表面修饰经步骤S1处理后的所述BaTiO₃粉体；S3、将经步骤S2处理后的所述BaTiO₃粉体与聚合物进行混合和搅拌，形成混合浆料，所述聚合物为聚酰亚胺；S4、将所述混合浆料涂覆在铜箔单面上，然后进行预固化处理，使得所述铜箔单面覆上介电薄膜；S5、将两个经步骤S4处理后的所述铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，获得双面覆铜介电板；S6、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合，最终得到埋入式电容。