[发明专利]一种物理不可克隆芯片电路在审
| 申请号： | 201510623726.5 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105245220A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锦;林仕傍;彭亮多 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 杜启刚 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种物理不可克隆芯片电路，包括M行N列工作于亚阈值区域的MOSFET阵列和自动校零比较器，MOSFET阵列包括以PMOS为负载的M行N列NMOS；物理不可克隆芯片电路的输入信号经译码后选中对应的NMOS导通，选中的NMOS和对应行中的负载PMOS组成单极CMOS放大器，MOSFET阵列的输出端依次输出电压值各不相同的电压；自动校零比较器不断地将MOSFET阵列输出的前一个电压与后一个电压进行比较，在陆续比较的过程中，自动校零比较器的输出端输出物理不可克隆芯片电路的应答信号。本发明采用单级放大器作为阵列的单元电路，芯片面积小、功耗低、应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 不可 克隆 芯片 电路 | ||
【主权项】：
一种物理不可克隆芯片电路，其特征在于，包括M行N列工作于亚阈值区域的MOSFET阵列和自动校零比较器，MOSFET阵列与所述的自动校零比较器相连,MOSFET阵列包括以PMOS为负载的M行N列NMOS；物理不可克隆芯片电路的输入信号经译码后选中对应的NMOS导通，选中的NMOS和对应行中的负载PMOS组成单极CMOS放大器，MOSFET阵列的输出端依次输出电压值各不相同的电压；自动校零比较器不断地将MOSFET阵列输出的前一个电压与后一个电压进行比较，在陆续比较的过程中，自动校零比较器的输出端输出物理不可克隆芯片电路的应答信号。
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