[发明专利]一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应温度下保持1～180min使金属基底与反应源反应，获得厚度可控的二维硫属化合物原子级薄膜。本发明采用化学气相沉积法，在同质的金属基底直接经过硫化、硒化、碲化可控生长出原子级薄膜，从而提供了一种制备大面积硫属化合物薄膜的方法。

主权项

一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：将金属基底和反应源分别置于真空反应装置中，金属基底置于石英管式炉中，反应源置于石英管前段的加热带上，温度分别进行控制；抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应温度下保持1～180min使金属基底与反应源反应，获得厚度可控的二维硫属化合物原子级薄膜；所述金属基底采用钼、钨、铌、钽、铂、锗、钛、锆、锡、铼、铟或铪制成；所述反应源为硫、硒、碲的粉体，或者上述非金属的氧化物。