[发明专利]一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510624450.2 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105185833B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 查祎英;王方方;田亮;朱韫晖;刘瑞;郑柳;杨霏;李永平;吴昊 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11271 北京安博达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触；源接触；漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上，通过反掺杂部分p阱区，以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道，避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题，实现常关型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 碳化硅 沟槽 mosfets 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件，其特征在于，所述器件包括：/n1)沟槽栅碳化硅MOSFET：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；/n2)n型隐埋沟道：位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内；/n3)p型碳化硅区：位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对；/n4)沟槽栅介质：位于所述n+碳化硅源区之间，自n型碳化硅漂移层表面，沿n+碳化硅源区，经p型碳化硅区延伸进入n型碳化硅漂移层，槽深大于所述p型碳化硅区结深；/n5)栅接触：位于所述沟槽栅介质之上；基区接触：位于所述p+型碳化硅区上；源接触：与所述基区接触相交叠；漏接触；/n所述n型碳化硅衬底和所述n型碳化硅漂移层的载流子浓度分别为10
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