[发明专利]一种描边生长ZnO的方法有效
| 申请号： | 201510626575.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105154974B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王亮;陆文强;刘双翼;李昕;李振湖;石彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/60;C30B7/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种描边生长ZnO的方法，包括如下步骤（1）在洗净的衬底表面旋涂S1800系列光刻胶，光刻出图案；（2）将光刻后的衬底等离子处理；（3）将步骤（2）中等离子处理后的衬底置于硝酸锌与六次甲基四胺的混合水溶液中反应，制得沿图案边沿描边生长的ZnO棒。本发明以光刻加工结合等离子处理的手段，先对衬底进行加工，成功实现ZnO棒沿图案边缘生长，长成的ZnO描出图案边缘。本发明中ZnO水热法生长对比高温法，具有节能环保，成本低廉的显著优势；对比其它的图案描边方法，该方法更简单、方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 zno 方法 | ||
【主权项】：
一种描边生长ZnO的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选取衬底，在洗净的衬底表面旋涂S1800系列光刻胶，光刻胶的旋涂厚度为0.5‑2.0μm，光刻出图案；(2)将光刻后的衬底等离子处理，处理时间为1‑5min，形成等离子体的射频功率为100‑200W；(3)将步骤(2)中等离子处理后的衬底置于硝酸锌与六次甲基四胺的混合水溶液中反应，混合水溶液中硝酸锌与六次甲基四胺的浓度均为0.01‑0.5mol/L，硝酸锌与六次甲基四胺的摩尔比为1:1，制得沿图案边沿描边生长的ZnO棒，ZnO棒沿光刻图案边缘形核生长描出所需图案。
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