[发明专利]静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法在审
申请号: | 201510626723.7 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105097635A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 胡彬彬;韩晓刚;孔祥涛 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法,本发明在静电吸盘顶部的绝缘层中设置了多对正电极和负电极,通过设置探测部件来探测晶圆的弯曲位置和弯曲程度,并将探测结果发送给控制部件,控制部件根据该探测结果来控制每一对正电极和负电极之间的电压分布,从而使得静电吸盘产生与晶圆的弯曲位置和弯曲程度相匹配的静电吸力分布,使得整个晶圆与绝缘材料接触均匀,减小晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦,避免晶圆发生跳片问题,提高晶圆产品质量和静电吸盘的寿命。 | ||
搜索关键词: | 静电 吸盘 进行 吸附 方法 | ||
【主权项】:
一种可设定静电吸力分布的静电吸盘,静电吸盘顶部具有绝缘材料,其特征在于,包括:在绝缘材料中镶嵌有两个及以上成对的正电极和负电极,所有所述正电极位于静电吸盘中心线的一侧,所有所述负电极位于静电吸盘中心线的另一侧,且每一对所述正电极和所述负电极的分布均以所述静电吸盘中心线为对称轴;探测部件,用于探测位于所述静电吸盘上表面的晶圆的弯曲位置和弯曲度,以得到探测数据;并且向控制部件发送所述探测数据;控制部件,用于接收所述探测部件发送的所述探测数据,并且根据所述探测数据控制施加于所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压,从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布;其中,所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大,所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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