[发明专利]一种超薄多晶硅太阳能电池片的制备方法在审
申请号: | 201510627213.1 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105470345A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 许新湖;柯雨馨;戴亮亮 | 申请(专利权)人: | 阳光大地(福建)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;游学明 |
地址: | 362302 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种超薄多晶硅太阳能电池片的制备方法,包括如下步骤:采用130±20微米的硅片,前清洗-制绒-扩散-扩散后退火-等离子刻蚀-第一次超声波振荡-后清洗-等离子气相沉积-第二次超声波振荡-丝网印刷-烧结-烧结后退火-检测。本发明可以降低硅片成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 多晶 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种超薄多晶硅太阳能电池片的制备方法,采用130±20微米的硅片,经过以下步骤制备:前清洗—制绒—扩散—扩散后退火—等离子刻蚀—第一次超声波振荡—后清洗—等离子气相沉积—第二次超声波振荡—丝网印刷—烧结—烧结后退火—检测,其中,1)在制绒工艺中的处理:将两片硅片叠在一起制绒,同时在制绒的溶液中添加质量体积比2‑8%醋酸钠;2)扩散后退火时长15‑20min,温度为320‑450摄氏度,退火时充氩气保护;3)一次超声波频率为20KHZ‑150KHZ,振荡30‑50min;4)烧结后退火时长10‑15min,温度为120‑250摄氏度,退火时负压充氩气保护;5)第二次超声波20KHZ‑100KHZ,振荡10‑20min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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