[发明专利]一种氮化物系发光二极管的外延生长方法有效
| 申请号： | 201510627355.8 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105206719B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市翔安区厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤提供一衬底；在所述衬底上依次形成非掺层u‑GaN、n型导电层n‑GaN、有源区和限制层P‑AlGaN；在所述限制层P‑AlGaN上形成V型坑蚀刻层；在所述V型坑蚀刻层上形成V型坑成核层；在所述V型坑成核层上形成V型坑三维快速层；在所述V型坑三维快速层上形成V型坑二维快速层；在所述V型坑二维快速层上依次形成P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上依次形成非掺层u‑GaN、n型导电层n‑GaN、有源区和限制层P‑AlGaN；S3：在所述限制层P‑AlGaN上形成V型坑蚀刻层；S4：在所述V型坑蚀刻层上形成V型坑成核层；S5：在所述V型坑成核层上形成V型坑三维快速层；S6：在所述V型坑三维快速层上形成V型坑二维快速层；S7：在所述V型坑二维快速层上依次形成P型导电层、P型接触层和ITO导电层。
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