[发明专利]一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510628151.6 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105272327B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;张其笑 | 申请（专利权）人： | 王莎 |
| 主分类号： | C04B35/81 | 分类号： | C04B35/81;C04B35/584 |
| 代理公司： | 台州蓝天知识产权代理有限公司33229 | 代理人： | 王卫兵 |
| 地址： | 318000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法,上述晶须增强压电陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成氮化硅55‑60份、聚乙烯醇10‑15份、二氧化锆10‑12份、锂霞石5‑8份、碳化硅晶须4‑7份、聚碳硅烷3‑6份、聚铝硅氧烷2‑4份、氧化铜2‑3份、钛酸四丁脂1‑3份、二硫化钼1‑2份、过硫酸铵0.5‑1份和氧化铕0.02‑0.5份。本发明还提供了一种晶须增强压电陶瓷材料的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶须增强压电陶瓷材料，其特征在于，由包含以下重量份的组分制成：氮化硅 55‑60 份，聚乙烯醇 10‑15 份，二氧化锆 10‑12 份，锂霞石 5‑8 份，碳化硅晶须 4‑7 份，聚碳硅烷 3‑6 份，聚铝硅氧烷 2‑4 份，氧化铜 2‑3 份，钛酸四丁脂 1‑3 份，二硫化钼 1‑2 份，过硫酸铵 0.5‑1 份，氧化铕 0.02‑0.5 份。
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