[发明专利]N型双面电池及其制作方法

摘要

本发明涉及一种N型双面电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p++重掺杂区域；在N型硅片的第二表面上涂覆磷掺杂源，采用第三激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n++重掺杂区域；再在第一表面上依次制备钝化减反射膜层和电极。上述N型双面电池及其制作方法，降低对N型硅片的热损伤，且能提高电池转换率。

主权项

1.一种N型双面电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在所述N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p++重掺杂区域，所述p+掺杂区域和所述p++掺杂区域构成第一掺杂层，其中，p++重掺杂区域包括第二p++重掺杂区域和第一p++重掺杂区域，第二p++重掺杂区域位于N型硅片内，第一p++重掺杂区域和p+掺杂区域相邻；在所述N型硅片的第二表面上形成磷掺杂源层，采用第三激光参数，对所述第二表面进行激光处理，在所述第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对所述第二表面进行激光处理，在所述第二表面上形成n++重掺杂区域，所述n+掺杂区域和所述n++掺杂区域构成第二掺杂层，其中，n++重掺杂区域包括第二n++重掺杂区域和第一n++重掺杂区域，第二n++重掺杂区域位于N型硅片内，第一n++重掺杂区域和n+掺杂区域相邻；在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上分别形成第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层；在所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上分别制备电极。