[发明专利]一种蓝宝石晶片的清洗工艺有效
| 申请号： | 201510628481.5 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105280477B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;彭璐;黄博;王全新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝宝石晶片的清洗工艺。该方法包括先使用物理擦片配合超声方法去掉晶片表面大多数粘附性较强的油污和脏污，再用硫酸双氧水的混合溶液彻底清洗掉表面残留脏污，然后快排冲洗槽清洗，旋干或吹干。经本发明清洗的晶片表面洁净，无损伤，且实施效率极高。本发明可用于蓝宝石晶片GaN基LED芯片的外延层生长过程、PSS图形生长及管芯的前段制作过程的清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 晶片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石晶片的清洗方法，包括采用物理擦片配合超声的步骤，包括步骤如下：（1）擦片处理：用浸有有机溶剂的棉球擦拭蓝宝石晶片表面1‑3遍；（2）超声：将步骤（1）处理完成的蓝宝石晶片置于有机溶剂中，进行超声处理3‑10分钟；超声波频率为20‑30KHz，所述有机溶剂是无水乙醇，超声加热温度70℃；（3）将步骤（2）处理完成的蓝宝石晶片置于硫酸双氧水的混合溶液中涮洗5‑60秒；所述的硫酸双氧水的混合溶液是质量分数95%‑98%的硫酸与质量分数30%的双氧水按1:0.5体积比的混合；（4）将步骤（3）处理完成的蓝宝石晶片通过用去离子水喷淋、下给水并通氮气的方式清洗3‑5分钟；（5）将步骤（4）处理完成的蓝宝石晶片在甩干机内旋干或者使用氮气吹干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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