[发明专利]一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510628815.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105154840A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 贾小氢;付凤凤;康琳;吴培亨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；制备钨硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的WSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁控共 溅射 法制 超薄 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）靶材选取选取纯度均为99.999%的块状硅和钨作为靶材，将所述靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；（3）制备钨硅薄膜磁控共溅射室的真空度小于等于2×10‑5 Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。
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