[发明专利]用于测量接触电阻的TFT及接触电阻的测量方法有效
| 申请号： | 201510629332.0 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105223420B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 孙博;邹晓灵 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于测量接触电阻的TFT及接触电阻的测量方法，该TFT包括有源层、栅极和栅极绝缘层，有源层上设有沟道和至少三个掺杂区，两个掺杂区之间通过沟道连接，在测量接触电阻时，以其中两个掺杂区作为测试点进行测量；栅极与沟道对应设置；栅极绝缘层用于隔离有源层和栅极。本发明均一性好，制程、成膜质量以及界面性质最大程度的相似，提高了测量准确性，同时节省了分布区域，提高了试验区域的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 接触 电阻 tft 测量方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量接触电阻的TFT，其特征在于，包括：有源层，所述有源层上设有沟道和至少三个掺杂区，两个所述掺杂区之间通过沟道连接，在测量接触电阻时，以其中两个所述掺杂区作为测试点进行测量，所述掺杂区通过离子注入法在所述沟道上形成，所述掺杂区为所述TFT的电极，两个所述电极之间的距离为沟道长度，其中两个所述掺杂区位于所述有源层的两端，每两个相邻的所述掺杂区之间的沟道长度均相异，所述有源层由有机半导体材料制成，所述掺杂区为N型掺杂区或者P型掺杂区；栅极，与所述沟道对应设置，形成所述栅极的材料为铝和铝合金中的至少一种；栅极绝缘层，用于隔离所述有源层和所述栅极，所述栅极绝缘层包括SiO2膜以及形成在所述SiO2上的SiNx膜。
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