[发明专利]一种GaAs基LED芯片的切割方法在审
| 申请号： | 201510629523.7 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105226143A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 郑军;李法健;齐国健;刘琦;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种GaAs基LED芯片的切割方法，包括如下步骤：（1）P面半切，形成纵横交错的切割槽，将芯片P面电极等间距分隔开；（2）将芯片P电极向下朝向白膜，N电极向上，贴在白膜上；（3）沿P面半切的切割槽进行芯片N面划片，释放芯片N面应力；（4）将划过的芯片进行倒膜，芯片由白膜转移到蓝膜上；（5）在芯片N面用裂片机的劈刀沿划痕进行裂片，芯片被加工成独立的晶粒。本发利用改善后的贴片方法，采用锯片机与激光划片机优势互取的组合切割方法，最大限度释放了芯片P面应力和N面应力，并减小了贴膜时带来的形变应力影响，由此减少了芯片切割后容易出现的崩边、裂管芯现象，提高了芯片切割后的外观质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas led 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基LED芯片的切割方法，其特征是，包括如下步骤：(1)P面半切：在芯片P面进行全面半切，释放P面应力；(2)贴白膜：将芯片P电极向下朝向白膜，N电极向上，贴在白膜上；(3)N面划片：在芯片N面沿P面半切的切割槽进行激光划痕作业，释放芯片N面应力；(4)倒膜：芯片P电极向下，N电极向上，芯片由白膜转移到蓝膜上；(5)在芯片N面用裂片机的劈刀沿步骤(3)中的划痕进行裂片，劈刀的刀深与P面半切深度融合，芯片被加工成独立的晶粒。
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