[发明专利]振荡器集成电路

摘要

本发明提供一种振荡器集成电路，包含一第一振荡器级、奇数个中间震荡器级以及一最后振荡器级，且依序彼此串联。每一振荡器级中包含接收反向偏压的二极管装置与一晶体管，互相串联耦接并设置于电源和接地电压间。每一二极管装置有阳极和阴极，且每一晶体管有控制端，控制端用以控制从第一端流至第二端的电流。在每一振荡器级中，二极管的阳极于内部节点与晶体管的第一端耦接。在每一振荡器级中，晶体管的控制端耦接至前一振荡器级的内部节点。另外，第一振荡器级中晶体管的控制端耦接至最后振荡器级的内部节点。

主权项

1.一种振荡器集成电路，其特征在于，包含：一第一二极管装置，接收反向偏压，与一第一金属氧化物半导体晶体管串联耦接后置于一电源和一接地电压之间，所述第一二极管装置的一阴极耦接至所述电源，所述第一二极管装置的一阳极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的一漏极，且所述第一金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至所述接地电压；一第二二极管装置，接收反向偏压，与一第二金属氧化物半导体晶体管串联耦接后置于所述电源和所述接地电压之间，所述第二二极管装置的一阴极耦接至所述电源，所述第二二极管装置的一阳极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的一漏极，所述第二金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至所述接地电压，且所述第二金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述漏极；以及一第三二极管装置，接收反向偏压，与一第三金属氧化物半导体晶体管串联耦接后置于所述电源和所述接地电压之间，所述第三二极管装置的一阴极耦接至所述电源，所述第三二极管装置的一阳极耦接至所述第三金属氧化物半导体晶体管的一漏极，所述第三金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第二金属氧化物半导体晶体管的所述漏极，所述第三金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至所述接地电压，且所述第三金属氧化物半导体晶体管的所述漏极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的一栅极；所述振荡器集成电路还包含一输出缓冲电路，包含：一第四金属氧化物半导体晶体管，所述第四金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第三金属氧化物半导体晶体管的所述漏极；一第五金属氧化物半导体晶体管，所述第五金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述漏极；以及一第六金属氧化物半导体晶体管与一第七金属氧化物半导体晶体管，组成一电流镜，所述第六金属氧化物半导体晶体管耦接至所述第四金属氧化物半导体晶体管，且所述第七金属氧化物半导体晶体管耦接至所述第五金属氧化物半导体晶体管。