[发明专利]高隔离度宽带开关有效

专利信息
申请号: 201510629841.3 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105490671B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: Y·A·阿特赛尔;T·库尔克尤克鲁 申请(专利权)人: 亚德诺半导体集团
主分类号: H03K17/94 分类号: H03K17/94
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 百慕大群岛(*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
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摘要: 发明涉及高隔离度宽带开关。在一个方案中,该开关包括集成电路封装,该集成电路封装具有集成电路芯片,该集成电路芯片具有第一多个引线,第一多个引线定位在具有第二多个引线的封装基板上。集成电路芯片的第一引线经由焊线连接到封装基板的第二引线,响应于施加到集成电路封装上的RF信号,在第一引线与集成电路芯片之间发生第一电耦合。焊线具有响应于RF信号的第二电耦合,焊线被布置以使第二电耦合在选定频带内与第一电耦合匹配,从而对于选定频带内的RF信号减小集成电路封装的总体电耦合。
搜索关键词: 电耦合 集成电路封装 集成电路芯片 焊线 封装基板 高隔离度 宽带开关 选定频带 响应 减小 匹配 施加
【主权项】:
1.集成电路(IC)封装结构,包括:IC芯片,其包括多个第一引线;封装基板,其包括多个第二引线,所述IC芯片位于所述封装基板上;多个焊线,其分别将所述第一引线与所述第二引线连接,其中响应于施加到所述IC封装的射频(RF)信号,在所述多个第一引线之间通过所述集成电路芯片发生第一电耦合,其中所述焊线具有响应于所述RF信号的第二电耦合,并且其中调整所述第一电耦合或第二电耦合使得在选定频带内所述第二电耦合与所述第一电耦合基本匹配,从而对于所述选定频带内的RF信号减少所述集成电路封装的总体电耦合,其中通过将接地接头置于焊线之一附近以在焊线中诱发反向电流或通过改变焊线的几何结构来调整第二电耦合。
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