[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510630011.2 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105489609B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 山本芳树 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，通过将作为存储元件的反熔丝元件设置在SOI衬底上，能够提高反熔丝元件及包含该反熔丝元件的选择晶体管在内的半导体器件的性能。将设置在构成SOI衬底的SOI层(SL)上的栅极电极(GM)和设置在SOI层(SL)上并包含高浓度的扩散区域D1在内的外延层(EP)所夹持的、与栅极电极(GM)的侧壁连接地形成的绝缘膜(IFM)作为在反熔丝元件的写入动作时发生绝缘破坏的对象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：SOI衬底，其包含半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的第一绝缘膜及形成在所述第一绝缘膜上的第一半导体层；第一栅极电极，其隔着第二绝缘膜形成在所述第一半导体层上；第二半导体层及第三半导体层，其以夹着所述第一栅极电极的方式形成在所述第一半导体层上；以及第二栅极电极，其隔着第三绝缘膜形成在所述第一半导体层上，所述第一半导体层具有第一导电型，所述第二半导体层及所述第三半导体层具有与所述第一导电型不同的第二导电型，所述第二半导体层及所述第三半导体层构成包含所述第一栅极电极在内的第一场效应晶体管的源极、漏极区域，所述第二半导体层和所述第二栅极电极隔着第四绝缘膜相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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