[发明专利]普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法在审

专利信息
申请号: 201510632261.X 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105127419A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 陈军;金益民;吴晓娜 申请(专利权)人: 浙江恒成硬质合金有限公司
主分类号: B22F3/10 分类号: B22F3/10;C22C1/05
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 代理人: 胡根良
地址: 322100 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法,依次包括以下步骤:将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内,通入惰性气体进行脱蜡;脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结,烧结温度低于共晶点温度10~20℃,保温30~120分钟;抽真空进行二次烧结,采用5-20℃/min的升温速度进行烧结,烧结温度1380~1470℃,时间60-120分钟,降至室温完成烧结。本发明的优点是:采用本方法和常规烧结方法对比,钴磁从4.2升到5.2,第一次烧结产品完成收缩的80%-90%,晶粒表面能迅速降低,对氧的敏感程度降低,降温后进行第二次真空烧结,二次真空烧结可以通过较快的升温速度,这样尽可能地降低炉内损碳,这样能把内部气体脱除,产品内部孔隙大大降低。
搜索关键词: 普通 烧结炉 烧制 低钴细晶 硬质合金 方法
【主权项】:
普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法,其特征在于:依次包括以下步骤:A.第一次烧结:将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内,抽真空后通入惰性气体进行脱蜡;脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结,烧结温度低于共晶点温度10~20℃,保温30~120分钟;B.第二次烧结:抽真空进行二次烧结,采用5‑20℃/min的升温速度进行烧结,烧结温度1380~1470℃,时间60‑120分钟,降至室温完成烧结。
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