[发明专利]软开关半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 201510633700.9 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105470290B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | G·施密特;E·法尔克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;辛鸣 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请的各实施例涉及软开关半导体器件及其生产方法。一种半导体器件，具有半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及在第一垂直方向远离该第一侧而被布置的第二侧。该半导体器件具有整流结、第一导通类型的场停止区以及被布置在该整流结和场停止区之间的第一导通类型的漂移区。该半导体主体沿平行于该第一垂直方向的线具有净掺杂浓度。应用(a)和(b)中的至少一个：(a)该漂移区在第一深度具有电荷重心，其中在该整流结和该电荷重心之间的距离小于该漂移区在第一垂直方向的厚度的37％；(b)该净掺杂浓度的绝对值沿该直线并且在该漂移区之内包括局部最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体主体，所述半导体主体具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，所述第二侧在第一垂直方向远离所述第一侧而被布置；整流结；被布置在所述半导体主体中的第一导通类型的场停止区；以及在所述整流结和所述场停止区之间、被布置在所述半导体主体中的所述第一导通类型的漂移区；其中所述半导体主体沿平行于所述第一垂直方向延伸的直线具有净掺杂浓度；并且其中应用(a)和(b)中的至少一个：(a)所述漂移区在第一深度处包括掺杂电荷重心，其中在所述整流结和所述掺杂电荷重心之间的距离小于所述漂移区在所述第一垂直方向的厚度的37％；(b)所述净掺杂浓度的绝对值沿所述直线并且在所述漂移区之内包括局部最大值。
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