[发明专利]制备过渡金属硫族化物的方法

摘要

本发明提供一种制备过渡金属硫族化物的方法，其可于150至500度的基板温度以及25至760托耳的制程环境下生产过渡金属硫族化物。且本发明采用的硫族元素来源是采用加热硫族固体源并对其离子化的方式以取得硫族元素等离子体，所以在本发明中可避免去使用习知制备过渡金属硫族化物技术中的剧毒硫化氢气体。

主权项

1.一种制备过渡金属硫族化物的方法，其步骤包含：准备步骤，提供过渡金属基板、反应气体源及硫族元素固体源；汽化步骤，加热所述硫族元素固体源而产生硫族元素气体；沉积步骤，通入所述反应气体源以辅助离子化所述硫族元素气体产生硫族元素等离子体，并加热所述过渡金属基板使所述硫族元素等离子体于所述过渡金属基板的表面生成过渡金属硫族化物层；以及控制转换步骤，控制所述反应气体源的流量比率以改变所述硫族元素等离子体反应为过渡金属硫族化物层的转换效率，所述反应气体源为氮气及氢气；其中所述沉积步骤中，所述反应气体源及所述硫族元素气体是由上而下通入于所述过渡金属基板的上方，所述沉积步骤的制程真空度为低真空度至常压，所述沉积步骤的制程温度为150至500度，分别执行所述汽化步骤及所述沉积步骤于相异制程空间内，使加热所述硫族元素固体源并不影响所述制程温度。