[发明专利]一种GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201510639315.5 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105140367B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 郑树文;韩振伟;何苗;李述体 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 江裕强,何淑珍 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED外延结构，涉及LED外延生长技术领域，自下而上包括衬底、成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻档层和p型GaN层，其特点是所述电子阻档层由AlxGa1‑xN层、多周期GaN/InyGa1‑yN超晶格结构层和AlzGa1‑zN层构成；其中,0<x≤0.8,0<y≤0.2,0<z≤0.5。本发明可以有效阻档电子泄漏，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率，还能增强LED的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻档层和p型GaN层，其特征在于：所述电子阻档层是由AlxGa1‑xN层、多周期GaN/InyGa1‑yN超晶格结构层和AlzGa1‑zN层构成；其中, 0<x≤0.8, 0<y≤0.2, 0<z≤0.5。
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