[发明专利]蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法在审
申请号: | 201510639770.5 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN105331934A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 广部吉纪;松元丰;牛草昌人;武田利彦;西村佑行;小幡胜也;竹腰敬 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;H01L51/56;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 朴渊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。 | ||
搜索关键词: | 蒸镀掩模 有机半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种蒸镀掩模,其特征在于,所述蒸镀掩模由金属掩模和树脂掩模层积而成,所述金属掩模设置有缝隙,所述树脂掩模在与所述缝隙重叠的位置设置有与蒸镀制作的图案相对应的开口部,在所述金属掩膜和所述树脂掩膜之间,设置有包含金属、无机氧化物、无机氮化物中的任一种的阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510639770.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二维钙钛矿薄膜的制备方法
- 下一篇:一种热镀锌钢板的制备方法
- 同类专利
- 专利分类