[发明专利]基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201510641540.2 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105628761B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 邓健;琚赛琴;何军;肖锡林;肖妮;谢进;赵海青 | 申请（专利权）人： | 南华大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/48 |
| 代理公司： | 衡阳市科航专利事务所 43101 | 代理人： | 张卫衡 |
| 地址： | 421001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器及制备方法与应用。其制备方法包括制备碳糊电极(CPE)、制备硼掺杂分子印迹聚合物修饰碳糊电极和组装基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，并采用常规三电极系统，BMIP‑CPE作为工作电极。现有技术相比，本发明的基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器制备工艺简单、成本低廉、使用寿命长，适用于现场监测，使用该传感器检测环境水、水产品及其相关产品中残留MG，具有灵敏度高、选择性好、线性范围宽、精密度和准确度高、检测费用低和环境友好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 印迹 识别 孔雀石 伏安 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，其特征是采用如下方法制备的：以甲基三甲氧基硅烷（methyltrimethoxysilane，MTMOS）和苯基三甲氧基硅烷（phenyltrimethoxysilane，PTMOS）为功能单体，间氨基苯硼酸（m‑aminophenylboronic acid，APBA）为掺杂剂，MG为模板分子，四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，TEOS)为交联剂，通过溶胶‑凝胶法制备新型硼掺杂MG分子印迹聚合物，并将该印迹聚合物用于修饰碳糊电极，构建检测 MG 的伏安传感器。
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