[发明专利]像素结构

摘要

本公开提供一种像素结构，包括扫描线、数据线、主动元件、像素电极及遮光图案。主动元件包括半导体层、覆盖半导体层的绝缘层、位于绝缘层上且与扫描线电性连接的栅极、覆盖栅极的保护层、位于保护层上且与源极区及漏极区电性连接的源极电极及漏极电极。半导体层包括源极区、漏极区、通道区、源极浅掺杂区及漏极浅掺杂区。通道区位于源极区与漏极区之间。源极浅掺杂区位于通道区与源极区之间。漏极浅掺杂区位于通道区与漏极区之间。遮光图案遮蔽源极区、漏极区、源极浅掺杂区及漏极浅掺杂区。遮光图案与扫描线的其中一侧边重叠且与扫描线的另一侧边不重叠。这样遮光图案可遮蔽像素结构中易漏电的区域并减少其所占面积，从而提升像素结构的开口率。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一扫描线以及一数据线，互相交错设置；一主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接，该主动元件包括：一半导体层，其包括一源极区、一漏极区、一通道区、一源极浅掺杂区以及一漏极浅掺杂区，该通道区位于该源极区以及该漏极区之间，该源极浅掺杂区位于该通道区以及该源极区之间，且该漏极浅掺杂区位于该通道区与该漏极区之间；一绝缘层，覆盖该半导体层；一栅极，位于该通道区上方的该绝缘层上且与该扫描线电性连接；一保护层，覆盖该栅极：以及一源极电极以及一漏极电极，位于该保护层上且分别与该源极区以及该漏极区电性连接，其中该源极电极与该数据线电性连接；一像素电极，与该漏极电极电性连接；以及一遮光图案，遮蔽该半导体层的该源极区、该漏极区、该源极浅掺杂区以及该漏极浅掺杂区，其中该遮光图案与该扫描线的其中一侧边重叠设置，且该遮光图案与该扫描线的另一侧边不重叠。