[发明专利]光掩模的制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法有效
申请号: | 201510645264.7 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN105223769B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 山口昇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光掩模的制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法,在需要多次描绘的光掩模中准确地进行各区域的对准,能够抑制光刻工序的实施次数。所述制造方法具有以下工序:准备光掩模坯体,该光掩模坯体是在透明基板上层叠曝光光透过率彼此不同且由彼此具有蚀刻选择性的材料构成的下层膜与上层膜,进而形成第1抗蚀剂膜而得到的;对第1抗蚀剂膜进行第1描绘,形成用于形成上层膜图案和划定下层膜图案的区域的暂定图案的第1抗蚀剂图案;对上层膜进行蚀刻的第1蚀刻工序;在整面上形成第2抗蚀剂膜;对第2抗蚀剂膜进行第2描绘,形成用于形成下层膜图案的第2抗蚀剂图案;对下层膜进行蚀刻的第2蚀刻工序;蚀刻去除暂定图案的第3蚀刻工序。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 平板 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模的制造方法,该光掩模具备将下层膜图案与上层膜图案层叠地设置在透明基板上而得到的转印用图案,所述下层膜图案与上层膜图案是分别对曝光光透过率彼此不同的下层膜和上层膜进行构图而成的,所述光掩模的制造方法的特征在于,具备以下工序:准备光掩模坯体的工序,该光掩模坯体是在所述透明基板上层叠由彼此具有蚀刻选择性的材料构成的所述下层膜和所述上层膜,进而形成了第1抗蚀剂膜而得到的;通过对所述第1抗蚀剂膜进行第1描绘而形成第1抗蚀剂图案的工序,该第1抗蚀剂图案用于形成所述上层膜图案和划定所述下层膜图案的区域的暂定图案;将所述第1抗蚀剂图案作为掩模,对所述上层膜进行蚀刻的第1蚀刻工序;在包括所形成的所述上层膜图案和所述暂定图案的整个面上形成第2抗蚀剂膜的工序;通过对所述第2抗蚀剂膜进行第2描绘而形成第2抗蚀剂图案的工序,该第2抗蚀剂图案用于形成所述下层膜图案;将所述暂定图案和所述第2抗蚀剂图案作为掩模,对所述下层膜进行蚀刻的第2蚀刻工序;以及将所述第2抗蚀剂图案作为掩模,蚀刻去除所述暂定图案的第3蚀刻工序;在形成所述第2抗蚀剂图案的工序中,以使所述暂定图案的一部分从所述第2抗蚀剂图案的边缘露出的方式,进行所述第2描绘,所述暂定图案为如下这样的尺寸:在进行所述第2描绘时,即使在所述第1描绘与所述第2描绘之间产生有相对的位置偏差,所述暂定图案的一部分也会从所述第2抗蚀剂图案的边缘露出。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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