[发明专利]用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法有效
| 申请号： | 201510646062.4 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105489529B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·M·西拉尔德;伊利亚·卡利诺夫斯基;杰夫·哈恩 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法。在分别使用湿法蚀刻溶液和/或湿法清洗溶液中的至少一种来对包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥该衬底之后，执行用于干燥该衬底的系统和方法。使用包括支撑材料的溶剂来置换多个HAR结构之间的流体。在溶剂汽化之后，支撑材料从溶液析出且至少部分地填充多个HAR结构。使所述衬底暴露于使用富含氢的等离子体气体化学品产生的等离子体，以去除所述支撑材料，从而干燥包括所述HAR结构的所述衬底而不损坏所述多个HAR结构。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 支撑 材料 塌陷 干燥 高深 结构 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于干燥包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底的方法，其包括：在分别使用湿法蚀刻溶液和/或湿法清洗溶液中的至少一种来对所述衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥所述衬底之后：使用包括支撑材料的溶剂置换在所述多个HAR结构之间的流体，其中，在所述溶剂汽化之后，所述支撑材料从溶液析出且至少部分地填充所述多个HAR结构；以及使所述衬底暴露于使用富含氢的等离子体气体化学品产生的等离子体，以去除所述支撑材料，从而干燥包括所述HAR结构的所述衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510646062.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自攻地基桩
- 下一篇：高焊线质量的芯片框架及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
