[发明专利]一种深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510646129.4 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106564855B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够改善侧壁的形貌。该深硅刻蚀方法包括深硅刻蚀初始阶段，所述深硅刻蚀初始阶段包括交替进行的多个第一沉积步骤和多个第一刻蚀步骤，多个所述第一沉积步骤的沉积时间呈递减趋势，多个所述第一刻蚀步骤的刻蚀时间呈递增趋势。本发明用于进行深硅刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括深硅刻蚀初始阶段，所述深硅刻蚀初始阶段包括交替进行的多个第一沉积步骤和多个第一刻蚀步骤，多个所述第一沉积步骤的沉积时间呈递减趋势，多个所述第一刻蚀步骤的刻蚀时间呈递增趋势；所述深硅刻蚀方法还包括位于所述深硅刻蚀初始阶段后的深硅刻蚀主阶段，所述深硅刻蚀主阶段包括交替进行的多个第二沉积步骤和多个第二刻蚀步骤，每个所述第二沉积步骤的沉积时间与多个所述第一沉积步骤的沉积时间中的最小值相等，每个所述第二刻蚀步骤的刻蚀时间与多个所述第一刻蚀步骤的刻蚀时间中的最大值相等；多个所述第二刻蚀步骤中下电极功率的占空比呈递增趋势。
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