[发明专利]光罩及利用所述光罩进行多芯片同时制备的方法有效
申请号: | 201510646783.5 | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN106569386B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 胡骏 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;H01L21/027 |
代理公司: | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种光罩,包括至少两个芯片区域,以及位于各个芯片区域之间、用于将芯片区相互隔离开的芯片隔离带;所述芯片隔离带包括第一区和第二区;所述第二区包围所述第一区;所述第一区包括多个间隔设置的第一图形;所述第二区包括第二图形;所述第一图形和第二图形为透光的图形;所述第二图形的边缘与所述芯片区的边缘的间距大于套刻允许误差;所述第二图形的面积小于所述第一图形的面积。上述光罩可以有效提高芯片制备过程中隔离带的周边芯片的产品良率。本发明还涉及一种利用该光罩进行多芯片同时制备的方法。 | ||
搜索关键词: | 第一区 隔离带 光罩 芯片区域 芯片区 芯片 产品良率 间隔设置 芯片制备 允许误差 周边芯片 透光 多芯片 区包围 套刻 制备 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种光罩,包括至少两个芯片区域,以及位于各个芯片区域之间、用于将芯片区相互隔离开的芯片隔离带;其特征在于,所述芯片隔离带包括第一区和第二区;所述第二区包围所述第一区;所述第一区包括多个间隔设置的第一图形;所述第二区包括第二图形;所述第一图形和第二图形为透光的图形;所述第二图形的边缘与所述芯片区的边缘的间距大于套刻允许误差;所述第二图形的面积小于所述第一图形的面积。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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