[发明专利]高压LDMOS器件的工艺方法

摘要

本发明公开了一种高压LDMOS器件的工艺方法，针对非对称高压LDMOS，基于BCD工艺下在源端进行Halo离子注入，源端的LDD和Halo离子注入能与低压CMOS器件的LDD和Halo离子注入同时进行，也能单独实施离子注入。在实施LDMOS的源端LDD和Halo离子注入时，利用光刻胶遮挡部分栅和全部漂移区和漏极部分，利用源端多晶硅栅自对准进行LDD和Halo离子注入，Halo注入剂量应比沟道掺杂高一个数量级，以保证降低DIBL效应。本发明工艺方法能通过降低器件的DIBL效应而显著降低器件的漏电。

主权项

一种高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第1步，在硅衬底上进行离子注入形成埋层；第2步，在埋层上淀积一层外延层；第3步，对外延层进行杂质离子注入形成深阱；第4步，有源区光刻，在深阱表面刻蚀打开浅槽区域刻蚀场氧沟槽，并填充场氧，刻蚀及研磨后形成场氧区；第5步，光刻打开阱注入区域，注入形成N型阱及P型阱；第6步，生长栅氧化层，制作多晶硅栅极；第7步，光刻打开低压NMOS以及NLDMOS的源端部分，进行低压NLDD和N‑Halo的离子注入；第8步，光刻打开低压PMOS以及PLDMOS的源端部分，进行低压PLDD和P‑Halo的离子注入；第9步，淀积二氧化硅，干法刻蚀制作栅极侧墙；第10步，注入形成源区及漏区；第11步，通过接触孔工艺，淀积金属形成连接。