[发明专利]闰年霉素A4晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201510647323.4 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105237599B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李晓露;张雪霞;王海燕;任风芝;高月麒;林旸;张丽;王宁;段宝玲 | 申请（专利权）人： | 华北制药集团新药研究开发有限责任公司 |
| 主分类号： | C07H17/08 | 分类号： | C07H17/08;C07H1/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050015 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种闰年霉素A4晶体、其制备方法及其药用组合物。所述晶体在X‑射线衍射图谱中下述2θ角具有特征峰：7.6°、8.2°、10.2°、14.6°、15.2°、18.9°、20.0°、20.4°±0.2。本发明得到的闰年霉素A4晶体颗粒均匀、稳定性好，便于分装和保存。本发明所提供的闰年霉素A4晶体的制备方法简单，可操作性强，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 闰年 霉素 a4 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闰年霉素A4晶体，其化学式如式（I）所示，![]()
（I）其特征在于，所述晶型的X射线衍射图谱中下述2θ角具有特征峰：7.6°、8.2°、10.2°、14.6°、15.2°、18.9°、20.0°、20.4°±0.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北制药集团新药研究开发有限责任公司，未经华北制药集团新药研究开发有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510647323.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带滑动层高温锂电池用超高分子聚乙烯复合隔膜
- 下一篇：一种锂电池安全阀
