[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理方法

摘要

本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，包括以下步骤：a)将黑硅原料在氢氟酸溶液中进行清洗，得到待处理的黑硅；b)将待处理的黑硅在碱性溶液中进行反应，再经水洗，得到处理后的黑硅；c)将处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构。采用本发明提供的处理方法对黑硅表面结构进行优化，不仅能够有效去除黑硅表面的多孔硅和金属离子杂质，还能够去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率，得到优化后的黑硅表面结构，在保证其具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。实验结果表明，采用本发明提供的处理方法优化后的黑硅相应电池效率在19％以上，相应组件功率在270W以上。

主权项

一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将黑硅原料在氢氟酸溶液中进行清洗，得到待处理的黑硅；b)将待处理的黑硅在碱性溶液中进行反应，再经水洗，得到处理后的黑硅；c)将处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构。