[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理液及处理方法在审
| 申请号： | 201510651827.3 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105274626A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理液和处理方法，所述处理液包括以下组分：刻蚀剂1重量份；缓冲剂1重量份～15重量份；氧化剂1重量份～15重量份；水20重量份～400重量份；所述刻蚀剂为氢氟酸。本发明提供的处理液通过刻蚀剂、缓冲剂和氧化剂的协同作用，使处理液能够缓慢而均匀的对黑硅表面结构进行优化，去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率。本发明采用上述处理液将黑硅进行表面处理，得到优化后的黑硅表面结构，在保证黑硅具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 优化 表面 结构 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于优化黑硅表面结构的处理液，其特征在于，包括以下组分：刻蚀剂1重量份；缓冲剂1重量份～15重量份；氧化剂1重量份～15重量份；水20重量份～400重量份；所述刻蚀剂为氢氟酸。
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