[发明专利]COA型阵列基板的制作方法与彩膜基板的制作方法

摘要

本发明提供一种COA型阵列基板的制作方法与彩膜基板的制作方法。本发明的COA型阵列基板的制作方法，利用电化学沉积的方法，通过TFT基板上的TFT电路提供电信号直接在像素电极层中的第一、第二、第三像素电极上分别沉积第一、第二、第三色阻材料分子并使其交联聚合，形成第一、第二、第三彩色聚合物薄膜，从而构成彩色滤光层，简化了彩色滤光层的制造工艺。本发明的彩膜基板的制作方法，在一衬底基板上首先形成一图案化的电极层，然后利用电化学沉积的方法，在该电极层中的第一、第二、第三电极上分别沉积第一、第二、第三色阻材料分子并使其交联聚合，形成第一、第二、第三彩色聚合物薄膜，从而构成彩色滤光层，简化了彩色滤光层的制造工艺。

主权项

1.一种COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一TFT基板(1)，所述TFT基板(1)包括衬底基板(101)、设于衬底基板(101)上的TFT层(102)、及设于所述TFT层(102)上的像素电极层(10)；所述像素电极层(10)包括呈矩阵分布的多个第一、第二、第三像素电极(11、12、13)；步骤2、利用所述第一、第二、第三像素电极(11、12、13)，采用电化学沉积方法在所述第一、第二、第三像素电极(11、12、13)上分别沉积第一、第二、第三彩色聚合物薄膜(21、22、23)，设于所述像素电极层(10)上的多个第一、第二、第三彩色聚合物薄膜(21、22、23)共同构成彩色滤光层(20)，从而制得一COA型阵列基板；所述步骤2中，在所述第一像素电极(11)上沉积第一彩色聚合物薄膜(21)的具体步骤包括：步骤21、提供一电极基板(9)、及供电装置(2)，将所述TFT基板(1)与电极基板(9)分别连接供电装置(2)，并将所述TFT基板(1)与电极基板(9)浸入盛装有第一电解质溶液(41)的容器(4)中，所述第一电解质溶液(41)中含有带电的第一色阻材料分子；步骤22、通过所述供电装置(2)分别向第一像素电极(11)与电极基板(9)上施加极性相反的电压，其中所述第一像素电极(11)上施加的电压与所述第一色阻材料分子所带电荷的极性相反，所述第一色阻材料分子在所述第一像素电极(11)上进行沉积并且交联聚合，形成第一彩色聚合物薄膜(21)；步骤23、对所述TFT基板(1)进行清洗并烘干，除去残留的溶液；所述步骤2中，在所述第二像素电极(12)上沉积第二彩色聚合物薄膜(22)的具体步骤包括：步骤24、提供一电极基板(9)、及供电装置(2)，将沉积了第一彩色聚合物薄膜(21)的TFT基板(1)与电极基板(9)分别连接供电装置(2)，并将TFT基板(1)与电极基板(9)浸入盛装有第二电解质溶液(42)的容器(4)中，所述第二电解质溶液(42)中含有带电的第二色阻材料分子；步骤25、通过所述供电装置(2)分别向第二像素电极(12)与电极基板(9)上施加极性相反的电压，其中所述第二像素电极(12)上施加的电压与所述第二色阻材料分子所带电荷的极性相反，所述第二色阻材料分子在所述第二像素电极(12)上进行沉积并且交联聚合，形成第二彩色聚合物薄膜(22)；步骤26、对所述TFT基板(1)进行清洗并烘干，除去残留的溶液；所述步骤2中，在所述第三像素电极(13)上沉积第三彩色聚合物薄膜(23)的具体步骤包括：步骤27、提供一电极基板(9)、及供电装置(2)，将沉积了第一与第二彩色聚合物薄膜(21、22)的TFT基板(1)与电极基板(9)分别连接供电装置(2)，并将TFT基板(1)与电极基板(9)浸入盛装有第三电解质溶液(43)的容器(4)中，所述第三电解质溶液(43)中含有带电的第三色阻材料分子；步骤28、通过所述供电装置(2)分别向第三像素电极(13)与电极基板(9)上施加极性相反的电压，其中所述第三像素电极(13)上施加的电压与所述第三色阻材料分子所带电荷的极性相反，所述第三色阻材料分子在所述第三像素电极(13)上进行沉积并且交联聚合，形成第三彩色聚合物薄膜(23)；步骤29、对所述TFT基板(1)进行清洗并烘干，除去残留的溶液。