[发明专利]一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法有效

专利信息
申请号: 201510655205.8 申请日: 2015-10-12
公开(公告)号: CN105225917B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 彭徽;郭洪波;宫声凯;徐惠彬 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;H01J49/42
代理公司: 北京永创新实专利事务所11121 代理人: 姜荣丽
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法,属于直型电子枪技术领域。所述的离子阱装置包括设置在水冷阳极座凹槽内的离子阱导电条以及保证二者绝缘的离子阱绝缘层。当蒸发材料蒸气在真空室压差作用下从主真空室进入到电子枪室并向阴极部件运动时,与电子束流碰撞并发生部分电离,离化蒸气将被离子阱吸附,避免进入电子枪内部,从而降低灯丝和栅极污染,延长灯丝使用寿命,提高加工过程的稳定性。
搜索关键词: 一种 降低 电子枪 阴极 污染 离子 装置 方法
【主权项】:
一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置,其特征在于:包括离子阱导电条和离子阱绝缘层,所述的离子阱导电条嵌入在电子枪的水冷阳极座上的凹槽内,处于电子枪内的电子束出口B段;在所述的离子阱导电条和所述凹槽之间设置离子阱绝缘层;离子阱导电条与直流电源负极连接,对地电压为‑20V~‑60V;当入射蒸气到达电子束出口B段时,与灯丝发射出的电子束相互作用,部分蒸气电离成带正电荷的离子,将在离子阱导电条的吸引作用下附着到离子阱导电条表面;所述的电子束出口B段是指电子枪中对应水冷阳极座的电子束出口段。
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