[发明专利]利用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法在审
申请号: | 201510657170.1 | 申请日: | 2015-10-12 |
公开(公告)号: | CN105200528A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 王天驰;刘桂菊;戴生伢;孔见 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国;邹伟红 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法,是以松木为原料,先通过非氧化气氛烧结,得到具有松木结构的多孔碳,再经过硝酸银溶液的浸渍处理,并通过无氧气氛烧结,得到具有松木结构的多孔银;用氢氟酸、双氧水、水的混合液作腐蚀剂浸没单晶硅,并将多孔银压在硅平面上,以起到催化作用使腐蚀反应发生,从而形成与多孔银结构凸凹相反的硅表面;用氟硅烷和异丙醇混合液浸泡所得硅表面,从而获得硅基超疏水表面。本发明所制得的硅表面拓扑了松木的微观构造,高程度的借鉴自然,具有优异的超疏水性能。 | ||
搜索关键词: | 利用 松木 结构 多孔 催化剂 腐蚀 制备 硅基超 疏水 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法,其特征在于,步骤如下:(1)以松木为原料,将松木置于非氧化性气氛烧结炉中烧结,烧结温度不低于500℃,升温速率不高于3℃/min,制得具有松木结构的多孔碳;(2)将多孔碳在硝酸银溶液中浸渍,溶液浓度为0.1mol/L,浸渍时间为1~2小时,浸渍后将多孔碳取出干燥;(3)将干燥后的多孔碳放在无氧气氛加热炉中烧结,烧结温度为450~550℃,获得具有松木结构的多孔银;(4)用氢氟酸、双氧水和水的混合液作腐蚀剂,并用腐蚀剂浸没单晶硅;(5)将具有松木结构的多孔银压在单晶硅平面上,使之充分接触,接触时间为19~21分钟;(6)将腐蚀后的单晶硅表面浸入氟硅烷和异丙醇混合液中浸泡大于4天,氟硅烷和异丙醇体积比为1:4~1:8,随后取出干燥,便制得硅基超疏水表面。
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