[发明专利]MIM电容及其形成方法有效
| 申请号： | 201510657383.4 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN105304616B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MIM电容及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成电容介电层；在所述电容介电层上形成第二导电层；在所述第二导电层上形成覆盖层；去除部分区域的所述覆盖层及第二导电层以形成开口；在所述开口及开口外的所述覆盖层上形成介电层并平坦化所述介电层；在所述介电层上进行刻蚀，形成暴露所述第一导电层的第一接触孔与暴露所述第二导电层的第二接触孔，且对所述介电层的刻蚀速率大于对所述覆盖层的刻蚀速率。所述方法提高了MIM电容的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成电容介电层；在所述电容介电层上形成第二导电层；在所述第二导电层上形成覆盖层；去除部分区域的所述覆盖层及第二导电层以形成开口；在所述开口及开口外的所述覆盖层上形成介电层并平坦化所述介电层，位于所述覆盖层上的介电层的厚度为12000埃～50000埃，所述覆盖层的厚度与所述覆盖层上的介电层的厚度的比值为1:5～1:10；在所述介电层上进行刻蚀，形成暴露所述第一导电层的第一接触孔与暴露所述第二导电层的第二接触孔，所述第二接触孔的数量为多个，所述多个第二接触孔是并联关系，且对所述介电层的刻蚀速率大于对所述覆盖层的刻蚀速率，对所述介电层的刻蚀速率与对所述覆盖层的刻蚀速率的比值为5:1～8:1，形成第二接触孔的过刻蚀量为10％～15％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510657383.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电容连接电路及数模转换器
- 下一篇：半导体结构
