[发明专利]一种三维集成电感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201510657578.9 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105226048A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;余宁梅 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人： | 张蓓 |
| 地址： | 710048 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种三维集成电感器及其制造方法，该三维集成电感器包括顶层介质、顶层层间介质、半导体衬底、底层介质，在半导体衬底上刻蚀呈螺旋状的硅通孔，在硅通孔的内表面设置有绝缘层，在绝缘层内部设置有金属，在半导体衬底的上表面设置有顶层层间介质，在顶层层间介质内刻蚀第一接触孔和第二接触孔，在接触孔中对应的填充第一互连金属塞与第二互连金属塞，在顶层层间介质上表面设置有顶层介质，在顶层介质内刻蚀第三接触孔和第四接触孔，在接触孔中对应的填充第一金属电极与第二金属电极，在半导体衬底的下表面设置有顶层介质。本发明大幅提高了集成电感器的电感值，可广泛用于集成电路，尤其是射频/微波/毫米波电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 集成 电感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成电感器，其特征在于：包括顶层介质（101）、顶层层间介质（201）、半导体衬底（301）、底层介质（401），在所述半导体衬底（301）上刻蚀呈螺旋状的硅通孔，在所述硅通孔的内表面设置有绝缘层（302），在所述绝缘层（302）内部设置有金属（303），在所述半导体衬底（301）的上表面设置有所述顶层层间介质（201），在所述顶层层间介质（201）内刻蚀有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔位于所述金属（303）上，在所述第一接触孔中填充第一互连金属塞（202），在所述第二接触孔中填充第二互连金属塞（203），在所述顶层层间介质（201）上表面设置有所述顶层介质（101），在所述顶层介质（101）内刻蚀有第三接触孔和第四接触孔，所述第三接触孔和所述第四接触孔分别位于对应的第一互连金属塞（202）与第二互连金属塞（203）上，在所述第三接触孔中填充第一金属电极（102），在所述第四接触孔中填充第二金属电极（103），在所述半导体衬底（301）的下表面设置有所述顶层介质（401）。
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